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1mm 950-1700nm APD雪崩光電探測 TO46封裝 裸片

產(chǎn)品概述:

光敏直徑為1000um的APD雪崩光電探測器芯片,相應波長950-1700nm,默認采用TO46封裝,適合用于激光雷達,弱光探測等場景。

關(guān)鍵詞: 1000um APD APD探測芯片 APD雪崩光電探測器 APD裸片 800-1700nm
產(chǎn)品型號:GY-APD-1000-TO46
規(guī)格書: 點擊下載
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技術(shù)支持:黃工 13427781756 (微信同號,可掃碼
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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產(chǎn)品介紹


應用 Applications

  • 距離測量
  • 空間光傳輸
  • 光時域反射計
  • 低光級探測


光電性能 Electro-Optical Characteristics (@ Tc=22±3℃)

特性參數(shù) Parameter符號 Symbol測試條件 Test Condition最小 Min.典型 Typ.最大 Max.單位 Unit
Active Area
Φ


1000 

um
光譜響應范圍 Response Spectrumλ——950 ~ 1700nm
響應度 ResponsivityReλ=1550nm Pin=1 μW, M=10.70————A/W
倍增因子 Multiplication factorMλ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-310.00——————
倍增因子 Multiplication factorMλ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-220.00——————
倍增因子 Multiplication factorMλ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-130.00——————
暗電流 Dark CurrentIdVR=VBR-3, Pin=0μW——80.00150.00nA
-3dB 截止頻率 -3dB cut-off frequencyBWM=10 RL=50Ω0.090.25——GHz
反向擊穿電壓 Reverse Breakdown VoltageVBRIR =10μA, Pin=0μW40.00——60.00V
電容 CapacitanceCVR=VBR-3, f=1MHz——20.0030.00pF
擊穿電壓溫度系數(shù) Temperature coefficient of VBRγR=10μA, Pin=0μW -55℃~+85℃0.120.150.18V/℃


封裝圖

apd200um-20230830075156.png


實拍圖片

Image


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