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200um 950-1700nm APD光電探測(cè)器雪崩二極管 TO46封裝 裸片die
產(chǎn)品概述：InGaAs材料的APD雪崩光電探測(cè)器，光敏面200um 相應(yīng)波長(zhǎng)950-1700nm 1550nm峰值，裸片die 或 TO封裝。
產(chǎn)品型號(hào)：GY-APD-200-TO46
規(guī)格書： 點(diǎn)擊下載
技術(shù)支持：黃工 13427781756 (微信同號(hào)，可掃碼）
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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產(chǎn)品介紹
型號(hào)：GY-APD-200-TO46，響應(yīng)波長(zhǎng)：950-1700nm，InGaAs Φ 200μm APD光電探測(cè)器芯片
應(yīng)用 Applications
- 距離測(cè)量
- 空間光傳輸
- 光時(shí)域反射計(jì)
- 低光級(jí)探測(cè)
光電性能 Electro-Optical Characteristics （@ Tc=22±3℃）
| 特性參數(shù) Parameter | 符號(hào) Symbol | 測(cè)試條件 Test Condition | 最小 Min. | 典型 Typ. | 最大 Max. | 單位 Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 光譜響應(yīng)范圍 Response Spectrum | λ | —— | 950 ~ 1700 | nm | ||
| 響應(yīng)度 Responsivity | Re | λ=1550nm Pin=1μW, M=1 | 0.90 | 1.00 | —— | A/W |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-3 | 10.00 | —— | —— | —— |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-1 | 30.00 | —— | —— | —— |
| 暗電流 Dark Current | Id | VR=VBR-3, Pin=0μW | —— | 8.00 | 50.00 | nA |
| -3dB 截止頻率 -3dB cut-off frequency | BW | M=10 RL=50Ω | 0.60 | 1.25 | —— | GHz |
| 反向擊穿電壓 Reverse Breakdown Voltage | VBR | IR =10μA, Pin=0μW | 35.00 | —— | 50.00 | V |
| 電容 Capacitance | C | VR=VBR-3, f=1MHz | —— | 1.80 | 2.00 | pF |
| 擊穿電壓溫度系數(shù) Temperature coefficient of VBR | γ | R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃ | 0.05 | 0.11 | 0.15 | V/℃ |
封裝圖
實(shí)拍圖片
客戶名錄
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